对于有意向选购手机用户来讲，内存往往是绕不开的话题。这里的内存包括运行内存（RAM）和手机存储（ROM），它们是除SoC以外对手机性能影响最大的因素。随着手机系统和APP越做越大，手机的内存大小已能与电脑相提并论了，而用户在选购手机时也自然而然遵循着“越大越好”的原则。

  集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)表示，2017年第四季各供货商持续进行3D-NAND的扩产及良率提升，然需求面仅靠智能手机旺季需求动能延续，因此，2017年第四季合约价仅eMMC/UFS上涨0-5%，别的部分如服务器/数据中心、PC及平板等需求力道减缓，合约价呈现持平，甚至会出现小跌走势，整体NAND Flash市场趋于供需平衡。 展望2018年第一季，在淡季需求疲弱影响下，市场转为小幅供过于求的状态.

  云计算具体指的是IT基础设施的交付和使用模式，指利用互联网以按需、易扩展的方式获得所需服务，这种服务可以是IT和软件、互联网相关，也可是其他服务。这是云计算的一个核心的概念，其实简单的理解就是将大量用网络连接的计算资源统一管理和调度，构成一个计算资源池向用户按需服务。

  从IBM在1956年推出世界上第一台真正意义上的机械硬盘，到上世纪70年代，存储和服务器是融于一体的。

  在内存领域三星是绝对的霸权，最大的内存市场，先进的内存技术，导致全球闪存受制于他。但是市场格局出现了微妙的变化，美光强势杀入UFS 2.1手机闪存，三星可能不再霸权。

  通过数据分析外包，企业雇佣服务提供商对他们提供给外包公司的数据来进行分析。有行业研究表明，市场对这项服务的需求正在上升。

  据国外新闻媒体报道， 三星电子 表示，慢慢的开始在华城工厂建设一条新的 半导体 生产线纳米或更小的芯片。 三星将投资60亿美元到2019年完成的生产线年开始运营。三星公司将在开始运营时依据市场情况投入更多资金。

  目前存储依储存特性，以断电后资料是否消失可分为挥发性和非挥发性存储，挥发性存储断电后资料不能留存，成本较高但是速度快，通常用于资料暂存；非挥发性存储存取速度较慢，但可长久保存资料。

  2017年全球半导体产业上游的涨价风潮，从硅晶圆一路吹到MOSFET芯片、利基型DRAM芯片、LCD驱动IC及MCU，芯片供应商为反应成本上扬而陆续调涨芯片价格，然因晶圆代工交期有8~12周的时间落差，必须等到新的晶圆量产出厂，才能反应到公司营收、毛利率及获利表现。 据悉，2018年第1季虽适逢传统淡季，但台系MOSFET、利基型DRAM芯片业者自结1月营收纷逆势走扬，主要就是芯片价格调涨效应。

  2017年的内存大战已逝去，纵观2018年的内存市场，在三星大内存厂商的推动下，内存价格还是难以下降。据悉发改委再次约谈三星，要求内存必须降价。

  “TC35680FSG”配置有用于存储用户程序和独立操作中的各种数据的128KB闪存，因此适用于各种不同应用，而且在独立操作中不需要外部非易失性存储器。

  在近日，又有双方签署 MOU 的消息，市场预期将可能抑制 DRAM 价格。集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）指出，内存价格涨势延续超过 6 季上扬，造成许多中国手机厂不堪成本压力，因而引来政府关注，将可能使今年第一季的 DRAM 价格受到抑制。而目前三星是全球最大的存储器芯片厂商，有近 48％ 的全球市占率。

  英特尔已经推出了几款3D XPoint产品，但是到目前为止，美光科技还没什么动作。

  2017 年第四季为传统旺季，在智能手机市场需求转强的预期效应，以及北美数据中心需求强劲的带动下，主要供应商纷纷提高 2017 年第四季移动式存储器价格。整体而言，2017 年第四季移动式存储器涨幅平均落在 10%~15%，产值达 80 亿美元，较前一季成长 23.6%，产值再攀新高。

  台系MOSFET芯片供应商指出，由于外商仍主导MOSFET芯片价格趋势，台系IC设计公司宁可先抢市占率，不敢轻易跟涨芯片报价，包括英飞凌(Infineon)、意法(ST)、安世(Nexperia)及万代(AOS)等主要MOSFET芯片供应商，早在2017年上半已陆续调涨报价，大陆中型MOSFET芯片供应商亦在2017年下半跟进，但包括大中、杰力、尼克森及茂达等台厂为争取更多客户订单，扩大芯片市占率，一直拖到第4季才开始通知客户涨价以反应成本。

  笔者认为如果这些发生了的话，将会改变整个NAND 市场的格局，对美光将是巨大的威胁。英特尔和美光都认为3D XPoint最终将替代目前PC市场与服务器市场的SSD和DRAM， 之后 英特尔可能更注重PC市场，美光则是服务器市场。

  计算机有单独的处理和存储单元，而大脑使用神经元来执行这两种功能。据物理学家组织网报道，凭借忆阻器和晶体管的组合特性，该新型器件包含多个端子，能像神经网络那样运行。

  忆阻器，是一种基于“记忆”外加电压或电流历史而动态改变其内部电阻状态的电阻开关。由于拥有超小的尺寸，极快的擦写速度，超高的擦写寿命，多阻态开关特性和良好的 CMOS 兼容性，忆阻器被业内视为可应用在未来存储和类脑计算（神经形态计算）技术的重要候选者。然而，基于传统氧化物材料的忆阻器在高温和承受压力等恶劣环境下，会出现器件的失效，远远不足以满足航空航天、军事、石油和天然气勘探等应用中对于电子元件耐热性的需求。